반응형 SMALL 전자/능동소자18 비반전 증폭기(opamp) 소개 비반전 증폭기는 증폭 된 출력 신호를 생성하는 연산 증폭기 회로 구성입니다. 비반전 증폭기의이 출력 신호는 적용된 입력 신호와 동 위상입니다. 즉, 비반전 증폭기는 전압 팔로워 회로처럼 동작합니다. 비반전 증폭기도 네거티브 피드백 연결을 사용하지만 전체 출력 신호를 입력에 공급하는 대신 출력 신호 전압의 일부만 연산 증폭기의 반전 입력 단자에 입력으로 피드백됩니다. 비반전 증폭기의 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스는 회로를 임피던스 버퍼링 애플리케이션에 이상적입니다. 이상적인 비반전 증폭기 회로 이상적인 비반전 증폭기의 회로도는 아래 그림과 같습니다. 회로에서 출력 전압이 반전 입력에 적용되기 전에 저항 R 1 및 R 2에 잠재적으로 분배된다는 것을 알 수 있습니다 . 비반전 입력이 접지에 .. 2020. 12. 16. 반전 증폭기(opamp) 소개 연산 증폭기는 증폭기, 발진기, 전압 조정기, 필터, 정류기 등과 같은 다양한 기능 회로로 작동하도록 구성 할 수 있습니다. 이러한 회로 구성의 대부분은 연산 증폭기 출력을 입력에 다시 연결해야합니다. 출력에서 입력으로의 이러한 연결을 "피드백"이라고합니다. 연산 증폭기에는 포지티브 및 네거티브의 두 개의 입력 단자가 있으므로 연산 증폭기의 피드백 연결은 포지티브 피드백 또는 네거티브 피드백이 될 수 있습니다. 출력이 연산 증폭기의 비 반전 단자에 연결된 경우 피드백은 양수라고하며 출력이 반전 입력에 연결되어 있으면 피드백이 음수라고합니다. 출력은 피드백 저항 (Rf)이라고하는 외부 저항을 통해 연산 증폭기의 입력으로 피드백됩니다. 피드백 연결은 애플리케이션에 따라 연산 증폭기의 이득을 정확하게 제.. 2020. 12. 15. 연산 증폭기 기본사항(opamp) 소개 일반적으로 연산 증폭기로 알려진 연산 증폭기는 높은 이득, 높은 입력 임피던스 및 낮은 출력 임피던스를 특징으로하는 2 입력 단일 출력 차동 전압 증폭기입니다. 연산 증폭기는 아날로그 컴퓨터에서 유래했으며 주로 수학적 연산을 수행하는 데 사용 되었기 때문에 그렇게 불립니다. 피드백 회로와 바이어스에 따라 연산 증폭기는 더하기, 빼기, 곱하기, 나누기, 부정하고 흥미롭게도 미분 및 통합과 같은 미적분 연산을 수행하도록 만들 수 있습니다. 오늘날 연산 증폭기는 전자 회로에서 매우 인기있는 구성 요소입니다. 연산 증폭기는 AC 및 DC 신호 증폭, 필터, 발진기, 전압 조정기, 비교기와 같은 다양한 애플리케이션과 대부분의 소비자 및 산업용 장치에 사용됩니다. 연산 증폭기는 온도 변화 또는 제조 변동에 거.. 2020. 12. 14. 전자기초 트랜지스터 8 로드 스위치 로드 스위치 ON 시의 돌입 전류에 대하여 로드 스위치 Q1을 ON한 순간 정상 전류보다 훨씬 큰 전류가 일시적으로 흐르는 경우가 있습니다. 출력측의 부하 용량 CL의 전하가 zero에 가까울 때, 출력 Vo에 전압이 부가된 순간 큰 충전 전류가 흐릅니다. 이러한 과대 전류가 흐르는 것을 돌입 전류 (rush current)라고 합니다. 돌입 전류의 최대치는 입력전압 Vin과 MOSFET Q1의 Rds(on)과 부하측의 부하 용량 CL의 ESR로 거의 결정되며, 입력전압 Vin이 커지면 그만큼 전류도 증가합니다. 돌입 전류가 현저하게 커질 경우, 오동작이나 시스템 트러블을 초래할 가능성이 있습니다. 또한, 최대 정격 전류를 넘을 경우, 파괴될 우려가 있습니다. MOSFET Q1의 게이트, 소.. 2016. 5. 29. 전자기초 트랜지스터 7 트랜지스터의 소자 온도 계산 방법 Junction 온도 계산 방법 1 : 주위 온도로 계산 (기본) Junction 온도 (또는 채널 온도)는 주위 온도 및 소비전력에서 계산할 수 있습니다. 열 저항의 관점에서, *Rth(j-a) : Junction-주위 온도간 열 저항은 실장하는 기판에 따라 달라지지만, 당사 표준 기판에 실장했을 때의 값을 「대표적인 패키지 저항치」로 나타냅니다. Rth(j-a)의 값은 각각의 트랜지스터에 따라 다르지만, 패키지가 동일하면 거의 근사치로 볼 수 있습니다. **소비전력이 일정하지 않고, 시간에 따라 변화하는 경우에는 평균 소비전력으로 근사치를 계산합니다. 평균 소비전력의 계산 방법은 『트랜지스터의 사용 여부 판정 방법』을 참조하여 주십시오. 하기 그래프는 Rth(j-a).. 2016. 5. 29. 전자기초 트랜지스터 6 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위한 선정 방법 트랜지스터를 동작시키면 전기적, 열적 부하가 걸리게 됩니다. 트랜지스터에 있어서 부하가 너무 크면 수명이 단축되거나, 최악의 경우, 파괴되기도 합니다. 이러한 문제를 방지하기 위해서는 실장 상태를 체크하고, 사용상 문제가 없는지를 확인할 필요가 있습니다. 본 페이지에서는 그 구체적인 판정 방법에 대해 기술하였습니다. 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위해, 반드시 참조하여 주십시오. 판정 전 : 트랜지스터의 선정 ~ 실장까지의 절차 1. 트랜지스터의 선정 Web, Short Form 카탈로그 등을 통해 사양을 만족하는 트랜지스터를 선정합니다. 2. SPEC · 샘플 입수 샘플 일부는 Web에서 입수 가능합니다. 3. 실제의 회로 (평가 회로)에 트랜지스터를 실장.. 2016. 5. 29. 전자기초 트랜지스터 5 MOSFET의 기생 용량과 온도 특성 MOSFET의 정전 용량에 대하여 파워 MOSFET에는 구조상 그림 1과 같은 기생 용량이 존재합니다. MOSFET의 G (게이트) 단자와 다른 전극간은 산화막으로 절연되어 있으며, DS (드레인・소스) 간에는 PN 접합이 형성되어 있으며, 다이오드가 내장된 구조입니다. Cgs, Cgd는 산화막의 정전 용량에 의해 Cds는 내장 다이오드의 접합 용량에 의해 용량이 결정됩니다. 일반적으로 MOSFET의 사양서에 기재되어 있는 것은 표 1의 Ciss/Coss/Crss의 3종류입니다. 용량 특성은 그림 2와 같이 DS (드레인・소스)간 전압 VDS에 대한 의존성이 있습니다. VDS를 크게 하면 용량치는 작아지는 경향이 있습니다. 온도 특성 실측예를 그림 3 (1)∼(3)으.. 2016. 5. 29. 전자기초 트랜지스터 4 디지털 트랜지스터의 원리 선정 방법 ① TR을 포화시키기 위한 IC/IB의 비율은 IC/IB=20/1 ② 입력저항 : R1은 ±30% E-B간 저항 : R2는 R2/R1=±20% ③ VBE는 0.55V~0.75Ｖ 디지털 트랜지스터에는 하기의 관계식이 성립합니다. ■디지털 트랜지스터의 직류 전류 증폭률의 관계식 GI : 디지털 트랜지스터로서의 직류 전류 증폭률 GI=Io/Iin hfe=Ic/IB Io= Ic , Iin= IB +IR2, IB=IC/hfe , IR2=VBE/R2 전압의 관계식은 Vin=VR1+VBE ■콜렉터 전류의 관계식 ∴ Ic= hfe×((Vin-VBE)/R1 )- (VBE/R2 )) ・・・① ※여기서의 hfe는 VCE=5V, Ic=1mA 시의 값으로 포화 상태는 아닙니다. 스위치로서 사.. 2016. 5. 29. 이전 1 2 3 다음 반응형 LIST
