반응형 SMALL 전자/능동소자18 전자기초 트랜지스터 3 트랜지스터 ON 시의 역방향 전류에 대하여 NPN 트랜지스터에서 베이스 (B)가 플러스, 콜렉터 (C)가 마이너스로 바이어스되어 에미터 (E)에서 C로 역전류가 흐릅니다. 사용 상 문제가 없는지 검토하여 주십시오. 1.열화 및 파괴에 대한 우려가 없으므로, 사용 상 문제가 없다고 판단됩니다. 2.NPN-Tr의 경우, B를 대칭으로 C, E 모두 N형입니다. 따라서, C, E를 역접속하여도 트랜지스터로서 사용 가능합니다. 즉, E→C로 전류가 흐릅니다. 3.역방향 트랜지스터의 특징은 하기와 같습니다. Low hFE (순방향의 10% 정도 이하) 저내압 (7∼8V 정도이며,VEBO와 비슷하게 낮음) ↑ 범용 TR의 경우, 그 이외는 5V 이하인 것도 있습니다.(이 내압을 넘어서 브레이크 다운시키면 hFE 의.. 2016. 5. 29. 전자기초 트랜지스터 2 트랜지스터 대표 형상 (그림은 단면도입니다) 미니 몰드 면실장 타입 트랜지스터 삽입 타입 트랜지스터 트랜지스터 맵：하기 분류로 아웃라인을 파악하자! 1.구조로 분류 동작 기구의 차이에 따른 분류입니다. 바이폴라 트랜지스터와 유니폴라 트랜지스터로 나누어 집니다. 바이폴라 트랜지스터 바이는 Bi(2개), 폴라는 Polar(극성)을 의미합니다. 트랜지스터를 구성하는 반도체를 흐르는 전류가 정공 (+극성) 과 전자 (-극성)에 의해 이루어지는 것을 바이폴라 트랜지스터라고 합니다. 일반적으로 트랜지스터라고 하면 실리콘으로 되어 있으며, 이 트랜지스터를 가르킵니다. FET Field Effect Transistor 의 약칭으로 전계 효과 트랜지스터를 뜻합니다. 접합형 FET 와 MOS 형 FET 및 GaAs형이 있.. 2016. 5. 29. 전자기초 트랜지스터 1 트랜지스터란 이런 것... 1.1948년, 벨 전화 연구소에서 탄생 당시 전자 공업계에서는 큰 충격이 되었던 트랜지스터의 발명은 1948년에 이루어졌습니다. 그리고 이 때야말로 오늘 날의 전자 시대의 막이 열린 때였습니다. 그 후 컴퓨터를 비롯한 전자 기술이 급속히 발전하였습니다. 우리의 생활이 이토록 풍부할 수 있도록 기여한 발명자 W. 쇼크레, J. 버딘, W. 브랫틴의 3명의 물리학자가 노벨상을 수상한 것은 당연한 것이라 할 수 있습니다. 앞으로도 트랜지스터의 발명과 대적할 만한 위대한 발전이 있을지… 무엇보다 트랜지스터가 현대에 그 만큼 큰 영향을 미쳤음은 틀림없는 사실입니다. 2.게르마늄에서 실리콘으로 트랜지스터는 당초 게르마늄이란 물질(반도체)로 만들어졌습니다. 그러나 게르마늄은 약 80℃ 정.. 2016. 5. 29. 전자기초 다이오드 7 (고주파 다이오드) What is a diode? 구조와 특징 : 고주파 다이오드 (PIN 다이오드의 경우) 구조 기호 용도・특징 고주파 신호의 스위치 → 휴대전화 등 Attenuator （감쇠기）및 AGC(※) 회로용 가변 저항 소자 ※AGC: Automatic Gain Control（자동 게인 제어） 다이오드중에서 단자간 용량(Ct)이 가장 작다. 저항치가 높은 I형 반도체에서 만들어지므로, 매우 작은 단자간 용량 (Ct)이 특징입니다.순전압에서는 가변 저항과 같은 역할을 하고, 역전압에서는 콘덴서의 역할을 합니다. 높은 주파수 특성 (단자간 용량이 작으므로 통신 라인에 영향을 미치지 않음)으로 고주파 신호의 스위칭 (안테나가 필요한 모바일 기기) 및 Attenuator, AGC 회로용 가변 저항 소자로서 사용됩니다. .. 2016. 5. 29. 전자기초 다이오드 6 (제너 다이오드) What is a diode? 구조와 특징 : 정전압 (제너) 다이오드 (ZD) 구조 기호 용도・특징 정전압 회로 서지 전류 및 정전기로부터 IC 등을 보호하는 보호 디바이스. 역방향의 전압이 가해질 때 정전압을 발생시킨다. 제너 다이오드는 전류가 변화되어도 전압이 일정하다는 특징을 이용하여 정전압 회로에 사용되거나, 서지 전류 및 정전기로부터 IC 등을 보호하는 보호 소자로서 사용됩니다. 일반적인 다이오드는 순방향으로 사용되는 것에 반해, 제너 다이오드는 역방향으로 사용된다는 특징이 있습니다. 역방향에서의 항복전압을 제너 전압 (VZ), 이 때의 전류치를 제너 전류(IZ)라고 합니다. 최근, 전자 디바이스의 미세화 / 고기능화에 따라 한층 더 고성능을 지닌 보호 소자가 요구되고 있으며, TVS(Tran.. 2016. 5. 29. 전자기초 다이오드 5 (쇼트키 다이오드) What is a diode? 구조와 특징 : 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 구조 기호 용도・특징 전원부 이차측의 정류 작용. Low VF（저손실）、High IR 고속 스위칭 일반적인 다이오드는 PN 접합으로 다이오드 특성을 지니는데 반해, 쇼트키 배리어 다이오드는 금속과 반도체와의 접합을 통해 발생하는 쇼트키 배리어를 이용한 다이오드입니다. 일반적으로 PN 접합의 다이오드에 비해 순방향 전압(VF)특성이 낮으며, 스위칭 특성이 빠르다는 장점이 있습니다.단, 누설 전류 (IR)가 크므로 열 설계를 잘못하면 열 폭주가 발생한다는 결점이 있습니다. 전원부 이차측의 정류용으로서 많이 사용됩니다. 이 특성은 사용되는 메탈에 따라 크게 좌우되며, 로옴에서는 여러 종류의 금속을 이용하여, LowVF타입 RB**.. 2016. 5. 29. 전자기초 다이오드 4 (스위칭 다이오드) What is a diode? 구조와 특징 : 스위칭 다이오드 (SW) 구조 기호 용도・특징 다양한 세트의 스위칭. 스위칭 속도：역회복 시간(trr)이 짧다. 그 이름처럼 스위칭 기능을 담당하는 다이오드입니다. 순방향측에 전압을 걸어 전류를 흐르게 하고 (ON), 역방향으로 전압을 걸어 전류를 멈추게 하는 (OFF) 기능을 지닌 다이오드입니다. 역회복 시간 (trr)이 짧아, 다른 다이오드에 비해 스위칭 특성이 우수합니다. 스위치ON 스위치OFF 역회복 시간 (trr)이란？ 역회복 시간(trr)은 스위칭 다이오드가 ON 상태에서 완전한 OFF 상태가 되기까지 걸리는 시간을 뜻합니다. 일반적으로 OFF 시, 전자는 갑작스럽게 멈출 수 없으므로, 일정량 정도의 전류가 역방향으로 흐르게 됩니다. 이 누설 전류.. 2016. 5. 29. 전자기초 다이오드 3 (정류 다이오드) What is a diode? 구조와 특징 : 정류 다이오드 (REC) 구조 기호 용도・특징 전원부의 일차측 등정류 작용. 주로 1A 클래스 이상, 400V · 600V와 같은 고내압 출력이 용이. 정류 다이오드 (Rectifier Diode)는 그 이름처럼 교류인 상용 주파수를 정류하는 다이오드입니다. 정류의 주요 목적은 교류를 직류로 변환하는 것이며, 고전압, 고전류라는 특징이 있습니다. 또한, 사용 주파수 / 조건에 따라 변환 효율이 달라지므로, LowVF（순방향 전압）제품 및 고속 스위칭 제품, Low Noise 제품 등이 있습니다. ［전류 회로 구성］ 2016. 5. 29. 이전 1 2 3 다음 반응형 LIST