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전자기초 트랜지스터 6 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위한 선정 방법 트랜지스터를 동작시키면 전기적, 열적 부하가 걸리게 됩니다. 트랜지스터에 있어서 부하가 너무 크면 수명이 단축되거나, 최악의 경우, 파괴되기도 합니다. 이러한 문제를 방지하기 위해서는 실장 상태를 체크하고, 사용상 문제가 없는지를 확인할 필요가 있습니다. 본 페이지에서는 그 구체적인 판정 방법에 대해 기술하였습니다. 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위해, 반드시 참조하여 주십시오. 판정 전 : 트랜지스터의 선정 ~ 실장까지의 절차 1. 트랜지스터의 선정 Web, Short Form 카탈로그 등을 통해 사양을 만족하는 트랜지스터를 선정합니다. 2. SPEC · 샘플 입수 샘플 일부는 Web에서 입수 가능합니다. 3. 실제의 회로 (평가 회로)에 트랜지스터를 실장.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 5 MOSFET의 기생 용량과 온도 특성 MOSFET의 정전 용량에 대하여 파워 MOSFET에는 구조상 그림 1과 같은 기생 용량이 존재합니다. MOSFET의 G (게이트) 단자와 다른 전극간은 산화막으로 절연되어 있으며, DS (드레인・소스) 간에는 PN 접합이 형성되어 있으며, 다이오드가 내장된 구조입니다. Cgs, Cgd는 산화막의 정전 용량에 의해 Cds는 내장 다이오드의 접합 용량에 의해 용량이 결정됩니다. 일반적으로 MOSFET의 사양서에 기재되어 있는 것은 표 1의 Ciss/Coss/Crss의 3종류입니다. 용량 특성은 그림 2와 같이 DS (드레인・소스)간 전압 VDS에 대한 의존성이 있습니다. VDS를 크게 하면 용량치는 작아지는 경향이 있습니다. 온도 특성 실측예를 그림 3 (1)∼(3)으.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 4 디지털 트랜지스터의 원리 선정 방법 ① TR을 포화시키기 위한 IC/IB의 비율은 IC/IB=20/1 ② 입력저항 : R1은 ±30% E-B간 저항 : R2는 R2/R1=±20% ③ VBE는 0.55V~0.75Ｖ 디지털 트랜지스터에는 하기의 관계식이 성립합니다. ■디지털 트랜지스터의 직류 전류 증폭률의 관계식 GI : 디지털 트랜지스터로서의 직류 전류 증폭률 GI=Io/Iin hfe=Ic/IB Io= Ic , Iin= IB +IR2, IB=IC/hfe , IR2=VBE/R2 전압의 관계식은 Vin=VR1+VBE ■콜렉터 전류의 관계식 ∴ Ic= hfe×((Vin-VBE)/R1 )- (VBE/R2 )) ・・・① ※여기서의 hfe는 VCE=5V, Ic=1mA 시의 값으로 포화 상태는 아닙니다. 스위치로서 사.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 3 트랜지스터 ON 시의 역방향 전류에 대하여 NPN 트랜지스터에서 베이스 (B)가 플러스, 콜렉터 (C)가 마이너스로 바이어스되어 에미터 (E)에서 C로 역전류가 흐릅니다. 사용 상 문제가 없는지 검토하여 주십시오. 1.열화 및 파괴에 대한 우려가 없으므로, 사용 상 문제가 없다고 판단됩니다. 2.NPN-Tr의 경우, B를 대칭으로 C, E 모두 N형입니다. 따라서, C, E를 역접속하여도 트랜지스터로서 사용 가능합니다. 즉, E→C로 전류가 흐릅니다. 3.역방향 트랜지스터의 특징은 하기와 같습니다. Low hFE (순방향의 10% 정도 이하) 저내압 (7∼8V 정도이며,VEBO와 비슷하게 낮음) ↑ 범용 TR의 경우, 그 이외는 5V 이하인 것도 있습니다.(이 내압을 넘어서 브레이크 다운시키면 hFE 의.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 2 트랜지스터 대표 형상 (그림은 단면도입니다) 미니 몰드 면실장 타입 트랜지스터 삽입 타입 트랜지스터 트랜지스터 맵：하기 분류로 아웃라인을 파악하자! 1.구조로 분류 동작 기구의 차이에 따른 분류입니다. 바이폴라 트랜지스터와 유니폴라 트랜지스터로 나누어 집니다. 바이폴라 트랜지스터 바이는 Bi(2개), 폴라는 Polar(극성)을 의미합니다. 트랜지스터를 구성하는 반도체를 흐르는 전류가 정공 (+극성) 과 전자 (-극성)에 의해 이루어지는 것을 바이폴라 트랜지스터라고 합니다. 일반적으로 트랜지스터라고 하면 실리콘으로 되어 있으며, 이 트랜지스터를 가르킵니다. FET Field Effect Transistor 의 약칭으로 전계 효과 트랜지스터를 뜻합니다. 접합형 FET 와 MOS 형 FET 및 GaAs형이 있.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 1 트랜지스터란 이런 것... 1.1948년, 벨 전화 연구소에서 탄생 당시 전자 공업계에서는 큰 충격이 되었던 트랜지스터의 발명은 1948년에 이루어졌습니다. 그리고 이 때야말로 오늘 날의 전자 시대의 막이 열린 때였습니다. 그 후 컴퓨터를 비롯한 전자 기술이 급속히 발전하였습니다. 우리의 생활이 이토록 풍부할 수 있도록 기여한 발명자 W. 쇼크레, J. 버딘, W. 브랫틴의 3명의 물리학자가 노벨상을 수상한 것은 당연한 것이라 할 수 있습니다. 앞으로도 트랜지스터의 발명과 대적할 만한 위대한 발전이 있을지… 무엇보다 트랜지스터가 현대에 그 만큼 큰 영향을 미쳤음은 틀림없는 사실입니다. 2.게르마늄에서 실리콘으로 트랜지스터는 당초 게르마늄이란 물질(반도체)로 만들어졌습니다. 그러나 게르마늄은 약 80℃ 정.. 2016. 5. 29.
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