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범용 로직 IC 크로스 레퍼런스＜74 시리즈 미니 로직＞ 74 시리즈 미니 로직의 크로스 레퍼런스입니다. 부품을 선택할 때 참고해 주십시오. 프로세스 정격 전압 74 시리즈 게이트 수 제조사명 텍사스 인스트루먼츠 도시바 온 세미컨덕터 르네사스 테크놀로지 페어차일드 세미컨덕터 CMOS 5V HC 1 － TC7S MC74HC1G HD74HC1G NC7S 2 － TC7W － － － 3 － TC7W － － － HCT 1 － TC7WT － HD74HCT1G NC7ST 2 － TC7WT － － － AHC/VHC 1 SN74AHC1G TC7SH MC74VHC1G － － 2 SN74AHC2G TC7WH/TC7PH － － － 3 － T7WH － － － AHCT／ VHCT 1 SN74AHCT1G TC7SET － － － 3.3V CBT 1 SN74CBT1G TC7SB － － － .. 2018. 1. 10.
범용 로직 IC 크로스 레퍼런스＜74 시리즈＞ 74 시리즈의 크로스 레퍼런스입니다. 부품을 선택할 때 참고해 주십시오. 프로세스 정격 전압 74 시리즈 제조사명 텍사스 인스트루먼츠 도시바 온 세미컨덕터 르네사스 테크놀로지 페어차일드 세미컨덕터 CMOS 5V AC SN74AC TC74AC MC74AC HD74AC 74AC ACT SN74ACT TC74ACT MC74ACT HD74ACT 74ACT AHC／VHC SN74AHC TC74VHC MC74VHC － 74VHC AHCT／VHCT SN74AHCT TC74VHCT MC74VHCT － 74VHCT CBT／FST SN74CBT － 74FST － FST FCT SN74FCT － － － － HC SN74HC TC74HC MC74HC HD74HC 74HC HCT SN74HCT TC74HCT MC74HCT HD.. 2018. 1. 10.
범용 로직 ic 기능 일람표<74시리즈> 범용 로직 74 시리즈 핀수 및 기능 일람표 기능명 기능 핀수 00 Quad 2-Input NAND Gate 14 02 Quad 2-Input NOR Gate 14 03 Quad 2-Input NAND Gate（Open Drain） 14 04 Hex Inverter 14 U04 Hex Inverter 14 05 Hex Inverter（Open Drain） 14 06 Hex Inverter Buffers/Drivers（Open Drain） 14 07 Hex Buffer（Open Drain） 14 08 Quad 2-Input AND Gate 14 09 Quadruple 2-Input Positive-AND Gates With Open-Collector Outputs 14 10 Triple 3-Input NA.. 2018. 1. 10.
전자기초 캐패시터(커패시터 콘덴서)1 콘덴서의 기본 기능 콘덴서는 크게 하기의 3가지 용도로 사용됩니다. 1. 백업 용도 배터리로서의 기능을 이용 전원 순단 시 및 IC의 구동 스피드가 급격히 빨라짐에 따라, 부하전류가 증가한 경우, 전원으로부터의 라인 전압이 강하하여, IC의 오동작을 초래하는 경우가 있습니다. 이를 방지하기 위해, 전원 라인 정상 시에 콘덴서가 축적해 놓은 전기를 IC 측에 공급하여 전원 라인 전압을 일시적으로 유지합니다. 2. 디커플링 용도 교류가 흐르는 특성을 이용 안정된 직류 전압을 공급하기 위해, 전원 라인에 중첩되는 외부로부터의 유도 노이즈 또는 고속 회로 구동에 의한 고주파 노이즈를 제거하는 기능. 일반적인 전원 회로에서 사용 가능합니다. 3. 커플링 용도 전단 회로의 직류 바이어스 전압을 제거하여, 교류 신호.. 2018. 1. 10.
전자기초 트랜지스터 8 로드 스위치 로드 스위치 ON 시의 돌입 전류에 대하여 로드 스위치 Q1을 ON한 순간 정상 전류보다 훨씬 큰 전류가 일시적으로 흐르는 경우가 있습니다. 출력측의 부하 용량 CL의 전하가 zero에 가까울 때, 출력 Vo에 전압이 부가된 순간 큰 충전 전류가 흐릅니다. 이러한 과대 전류가 흐르는 것을 돌입 전류 (rush current)라고 합니다. 돌입 전류의 최대치는 입력전압 Vin과 MOSFET Q1의 Rds(on)과 부하측의 부하 용량 CL의 ESR로 거의 결정되며, 입력전압 Vin이 커지면 그만큼 전류도 증가합니다. 돌입 전류가 현저하게 커질 경우, 오동작이나 시스템 트러블을 초래할 가능성이 있습니다. 또한, 최대 정격 전류를 넘을 경우, 파괴될 우려가 있습니다. MOSFET Q1의 게이트, 소.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 7 트랜지스터의 소자 온도 계산 방법 Junction 온도 계산 방법 1 : 주위 온도로 계산 (기본) Junction 온도 (또는 채널 온도)는 주위 온도 및 소비전력에서 계산할 수 있습니다. 열 저항의 관점에서, *Rth(j-a) : Junction-주위 온도간 열 저항은 실장하는 기판에 따라 달라지지만, 당사 표준 기판에 실장했을 때의 값을 「대표적인 패키지 저항치」로 나타냅니다. Rth(j-a)의 값은 각각의 트랜지스터에 따라 다르지만, 패키지가 동일하면 거의 근사치로 볼 수 있습니다. **소비전력이 일정하지 않고, 시간에 따라 변화하는 경우에는 평균 소비전력으로 근사치를 계산합니다. 평균 소비전력의 계산 방법은 『트랜지스터의 사용 여부 판정 방법』을 참조하여 주십시오. 하기 그래프는 Rth(j-a).. 2016. 5. 29.
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