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범용 로직 ic 기능 일람표<74시리즈> 범용 로직 74 시리즈 핀수 및 기능 일람표 기능명 기능 핀수 00 Quad 2-Input NAND Gate 14 02 Quad 2-Input NOR Gate 14 03 Quad 2-Input NAND Gate（Open Drain） 14 04 Hex Inverter 14 U04 Hex Inverter 14 05 Hex Inverter（Open Drain） 14 06 Hex Inverter Buffers/Drivers（Open Drain） 14 07 Hex Buffer（Open Drain） 14 08 Quad 2-Input AND Gate 14 09 Quadruple 2-Input Positive-AND Gates With Open-Collector Outputs 14 10 Triple 3-Input NA.. 2018. 1. 10.
전자기초 캐패시터(커패시터 콘덴서)1 콘덴서의 기본 기능 콘덴서는 크게 하기의 3가지 용도로 사용됩니다. 1. 백업 용도 배터리로서의 기능을 이용 전원 순단 시 및 IC의 구동 스피드가 급격히 빨라짐에 따라, 부하전류가 증가한 경우, 전원으로부터의 라인 전압이 강하하여, IC의 오동작을 초래하는 경우가 있습니다. 이를 방지하기 위해, 전원 라인 정상 시에 콘덴서가 축적해 놓은 전기를 IC 측에 공급하여 전원 라인 전압을 일시적으로 유지합니다. 2. 디커플링 용도 교류가 흐르는 특성을 이용 안정된 직류 전압을 공급하기 위해, 전원 라인에 중첩되는 외부로부터의 유도 노이즈 또는 고속 회로 구동에 의한 고주파 노이즈를 제거하는 기능. 일반적인 전원 회로에서 사용 가능합니다. 3. 커플링 용도 전단 회로의 직류 바이어스 전압을 제거하여, 교류 신호.. 2018. 1. 10.
전자기초 트랜지스터 8 로드 스위치 로드 스위치 ON 시의 돌입 전류에 대하여 로드 스위치 Q1을 ON한 순간 정상 전류보다 훨씬 큰 전류가 일시적으로 흐르는 경우가 있습니다. 출력측의 부하 용량 CL의 전하가 zero에 가까울 때, 출력 Vo에 전압이 부가된 순간 큰 충전 전류가 흐릅니다. 이러한 과대 전류가 흐르는 것을 돌입 전류 (rush current)라고 합니다. 돌입 전류의 최대치는 입력전압 Vin과 MOSFET Q1의 Rds(on)과 부하측의 부하 용량 CL의 ESR로 거의 결정되며, 입력전압 Vin이 커지면 그만큼 전류도 증가합니다. 돌입 전류가 현저하게 커질 경우, 오동작이나 시스템 트러블을 초래할 가능성이 있습니다. 또한, 최대 정격 전류를 넘을 경우, 파괴될 우려가 있습니다. MOSFET Q1의 게이트, 소.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 7 트랜지스터의 소자 온도 계산 방법 Junction 온도 계산 방법 1 : 주위 온도로 계산 (기본) Junction 온도 (또는 채널 온도)는 주위 온도 및 소비전력에서 계산할 수 있습니다. 열 저항의 관점에서, *Rth(j-a) : Junction-주위 온도간 열 저항은 실장하는 기판에 따라 달라지지만, 당사 표준 기판에 실장했을 때의 값을 「대표적인 패키지 저항치」로 나타냅니다. Rth(j-a)의 값은 각각의 트랜지스터에 따라 다르지만, 패키지가 동일하면 거의 근사치로 볼 수 있습니다. **소비전력이 일정하지 않고, 시간에 따라 변화하는 경우에는 평균 소비전력으로 근사치를 계산합니다. 평균 소비전력의 계산 방법은 『트랜지스터의 사용 여부 판정 방법』을 참조하여 주십시오. 하기 그래프는 Rth(j-a).. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 6 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위한 선정 방법 트랜지스터를 동작시키면 전기적, 열적 부하가 걸리게 됩니다. 트랜지스터에 있어서 부하가 너무 크면 수명이 단축되거나, 최악의 경우, 파괴되기도 합니다. 이러한 문제를 방지하기 위해서는 실장 상태를 체크하고, 사용상 문제가 없는지를 확인할 필요가 있습니다. 본 페이지에서는 그 구체적인 판정 방법에 대해 기술하였습니다. 트랜지스터를 안전하게 사용하기 위해, 반드시 참조하여 주십시오. 판정 전 : 트랜지스터의 선정 ~ 실장까지의 절차 1. 트랜지스터의 선정 Web, Short Form 카탈로그 등을 통해 사양을 만족하는 트랜지스터를 선정합니다. 2. SPEC · 샘플 입수 샘플 일부는 Web에서 입수 가능합니다. 3. 실제의 회로 (평가 회로)에 트랜지스터를 실장.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 5 MOSFET의 기생 용량과 온도 특성 MOSFET의 정전 용량에 대하여 파워 MOSFET에는 구조상 그림 1과 같은 기생 용량이 존재합니다. MOSFET의 G (게이트) 단자와 다른 전극간은 산화막으로 절연되어 있으며, DS (드레인・소스) 간에는 PN 접합이 형성되어 있으며, 다이오드가 내장된 구조입니다. Cgs, Cgd는 산화막의 정전 용량에 의해 Cds는 내장 다이오드의 접합 용량에 의해 용량이 결정됩니다. 일반적으로 MOSFET의 사양서에 기재되어 있는 것은 표 1의 Ciss/Coss/Crss의 3종류입니다. 용량 특성은 그림 2와 같이 DS (드레인・소스)간 전압 VDS에 대한 의존성이 있습니다. VDS를 크게 하면 용량치는 작아지는 경향이 있습니다. 온도 특성 실측예를 그림 3 (1)∼(3)으.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 4 디지털 트랜지스터의 원리 선정 방법 ① TR을 포화시키기 위한 IC/IB의 비율은 IC/IB=20/1 ② 입력저항 : R1은 ±30% E-B간 저항 : R2는 R2/R1=±20% ③ VBE는 0.55V~0.75Ｖ 디지털 트랜지스터에는 하기의 관계식이 성립합니다. ■디지털 트랜지스터의 직류 전류 증폭률의 관계식 GI : 디지털 트랜지스터로서의 직류 전류 증폭률 GI=Io/Iin hfe=Ic/IB Io= Ic , Iin= IB +IR2, IB=IC/hfe , IR2=VBE/R2 전압의 관계식은 Vin=VR1+VBE ■콜렉터 전류의 관계식 ∴ Ic= hfe×((Vin-VBE)/R1 )- (VBE/R2 )) ・・・① ※여기서의 hfe는 VCE=5V, Ic=1mA 시의 값으로 포화 상태는 아닙니다. 스위치로서 사.. 2016. 5. 29.
전자기초 트랜지스터 3 트랜지스터 ON 시의 역방향 전류에 대하여 NPN 트랜지스터에서 베이스 (B)가 플러스, 콜렉터 (C)가 마이너스로 바이어스되어 에미터 (E)에서 C로 역전류가 흐릅니다. 사용 상 문제가 없는지 검토하여 주십시오. 1.열화 및 파괴에 대한 우려가 없으므로, 사용 상 문제가 없다고 판단됩니다. 2.NPN-Tr의 경우, B를 대칭으로 C, E 모두 N형입니다. 따라서, C, E를 역접속하여도 트랜지스터로서 사용 가능합니다. 즉, E→C로 전류가 흐릅니다. 3.역방향 트랜지스터의 특징은 하기와 같습니다. Low hFE (순방향의 10% 정도 이하) 저내압 (7∼8V 정도이며,VEBO와 비슷하게 낮음) ↑ 범용 TR의 경우, 그 이외는 5V 이하인 것도 있습니다.(이 내압을 넘어서 브레이크 다운시키면 hFE 의.. 2016. 5. 29.
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